半导体系统级解决方案

各位车企、研发专家和采购专家，大家好。我是高电公司的技术工程师陈功。今天，我将从底层器件物理和系统级应用的角度，向大家分享我们专为800{V:fu2}高压纯电平台打造的第三代半导体系统级解决方案。

随着800{V:fu2}高压平台的全面普及，各位在研发中一定感受到了“硅基材料的物理墙”。传统IGBT在高压高频下开关损耗剧增，导致热管理成本飙升，OBC和主驱的体积越做越大，严重拖累整车轻量化和续航。要真正释放800{V:fu2}的潜力，单靠系统优化已经不够，必须从底层的功率器件材料进行革命。

我们的方案是“因地制宜”的黄金组合。在主驱逆变器端，我们提供第4代1200{V:fu2}沟槽栅碳化硅{MOSFET:mo2 si3 fei1 te3}。它的比导通电阻降低了20%，且具备3微秒的短路耐受能力，不需要各位大幅修改现有的驱动保护电路。而在OBC端；我们采用{650:liu4 bai3 wu3 shi2}{V:fu2}氮化镓器件，凭借零反向恢复电荷的特性，支持兆赫兹级超高频开关，这为后续磁性元件的极致缩水打下了物理基础。

作为FAE，我不只卖管子，我更看重系统级收益。实测数据显示，采用我们的{GaN:dan4 hua4 jia4}方案，OBC功率密度可突破4千瓦每升，体积缩小35%，直接减重2.5公斤。主驱端，{SiC:tan4 hua4 gui1}让WLTC综合工况效率提升了4.5%，这意味着同等电池下整车能多跑40公里。更重要的是，虽然第三代半导体单管较贵，但省下的散热器、大电容和结构件成本，足以让系统级BOM实现平价，真正实现“加量不加价”。

性能再好，上车必须安全可靠。我们的器件全面通过AEC-Q101认证，并在高温高湿反偏等极限测试中表现优异，寿命完全覆盖整车生命周期。此外，大家最关心的供应链问题，我们采用纯IDM模式，国内8英寸碳化硅晶圆厂已全面通线，月产能达5万片。从衬底到封装100%自主可控，彻底打消各位对“卡脖子”和长交期的顾虑。

从底层芯片到系统架构，我们致力于做最懂三电的半导体合伙人。我们不仅提供芯片，更提供免费的系统级热仿真支持和硬件评估板，欢迎各位扫码获取产品参数并申请样品。

用数据说话，用实测验证，期待与各位共同打磨出下一代标杆电驱平台。谢谢大家。